Đơn vị đo nguồn xung điện cao 100V/100A HCP300 cho IGBT
giới thiệu HCP300, một đơn vị đo nguồn xung dòng cao 100V/100A cho IGBT, có tốc độ lấy mẫu 250k, phạm vi xung 100A và độ chính xác đo 0,1%,lý tưởng để thử nghiệm các mô-đun pin mặt trời và thiết bị RF, với phần mềm thử nghiệm chuyên nghiệp miễn phí, chào mừng bạn đến thăm trang web của chúng tôi!
Đơn vị đo nguồn
-
Đơn vị đo SMU 100V 100A Máy đo nguồn xung điện cao HCP300 Cho IGBT
Liên hệ với bây giờ -
Máy đo nguồn xung P300 300V 1A 10A Phương tiện đo nguồn Phân dẫn thử nghiệm
Liên hệ với bây giờ -
Đơn vị đo nguồn xung 30V 4A 30A P100B Sourcemeter cho thiết bị bán dẫn
Liên hệ với bây giờ -
Đơn vị đo nguồn bán dẫn 100V 1A 10A Đơn vị đo nguồn xung P200
Liên hệ với bây giờ -
30V 1A 10A P100 Sourcemeter Bốn Quadrant Hoạt động Pulse Source Meter
Liên hệ với bây giờ
Các video liên quan
1000A/18V nguồn điện xung điện cao HCPL100 cho thử nghiệm SiC/IGBT/GaN HEMT
Đơn vị đo nguồn
February 25, 2025
10kV/6000A Power Device Analyzer Static Test System PMST cho MOSFET BJT IGBT và SiC GaN bán dẫn
Hệ thống thử nghiệm bán dẫn
February 26, 2025
Công cụ chính xác. Nguồn khám phá sự nhất quán bên trong và bên ngoài.
Các video khác
February 17, 2025
Máy đo nguồn hai kênh 300V/30A DP300B cho các thử nghiệm đặc tính điện khác nhau
Máy đo nguồn hai kênh
February 24, 2025
300A/30V nguồn điện xung điện cao HCPL030 cho thử nghiệm SiC/IGBT/GaN HEMT
Cung cấp điện dòng cao
February 25, 2025